SI1062X-T1-GE3 دیتاشیت

SI1062X-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI1062X-T1-GE3
حجم فایل 78.737 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

دانلود دیتاشیت SI1062X-T1-GE3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI1062X-T1-GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 220mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 2.7nC@8V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 43pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 530mA
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 420mΩ@4.5V,500mA
  • Package: SC-89
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه