SI7117DN-T1-E3 دیتاشیت

SI7117DN-T1-E3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI7117DN-T1-E3
حجم فایل 85.44 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

مشاهده دیتاشیت SI7117DN-T1-E3-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI7117DN-T1-E3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 3.2W;12.5W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 12nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 150V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 510pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 2.17A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4.5V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.2Ω@10V,500mA
  • Package: PowerPAK1212-8
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه