IPD30N06S4L-23 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
IPD30N06S4L-23
|
|
حجم فایل
|
61.281
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
9
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Infineon Technologies IPD30N06S4L23ATMA2
-
Operating Temperature:
-55°C~+175°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
36W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
21nC@10V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
60V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
1560pF@25V
-
Continuous Drain Current (Id):
30A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
2.2V@10uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
23mΩ@10V,30A
-
Package:
TO-252
-
Manufacturer:
Infineon Technologies
