- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت IPD30N06S4L-23
IPD30N06S4L23ATMA2 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | IPD30N06S4L-23 |
|---|---|
| حجم فایل | 61.281 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 9 |
دانلود دیتاشیت IPD30N06S4L-23 |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Infineon Technologies IPD30N06S4L23ATMA2
- Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd): 36W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs): 21nC@10V
- Drain Source Voltage (Vdss): 60V
- Input Capacitance (Ciss@Vds): 1560pF@25V
- Continuous Drain Current (Id): 30A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.2V@10uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 23mΩ@10V,30A
- Package: TO-252
- Manufacturer: Infineon Technologies
