1EBN1001AE دیتاشیت

1EBN1001AEXUMA1

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت 1EBN1001AEXUMA1
حجم فایل 33.652 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 23

مشاهده دیتاشیت 1EBN1001AEXUMA1

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Feature: -
  • Category: Power Supply Chip/Gate Drive ICs
  • Datasheet: Infineon Technologies 1EBN1001AE
  • Fall Time: 90ns
  • Load Type: IGBT;MOSFET
  • Rise Time: 50ns
  • Supply Voltage: 13V~18V
  • Number of Drivers: 1
  • Driven Configuration: -
  • Operating Temperature: -40°C~+150°C@(Tj)
  • Whether the isolation: Non-Insulated
  • Propagation Delay tpHL: 10ns
  • Propagation Delay tpLH: 10ns
  • Peak Output Current(sink): 15A
  • Peak Output Current(source): 15A
  • Package: SOP-14-EP
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه