FH (Guangdong Fenghua Advanced Tech) FHT8550G دیتاشیت

FHT8550G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FHT8550G
حجم فایل 134.131 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 62

مشاهده دیتاشیت FHT8550G-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Transistors/Thyristors/Bipolar (BJT)
  • Datasheet: FH (Guangdong Fenghua Advanced Tech) FHT8550G
  • Transistor Type: PNP
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C
  • Collector Current (Ic): 800mA
  • Power Dissipation (Pd): 300mW
  • Transition Frequency (fT): 100MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 40@800mA,1V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 25V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 600mV@500mA,50mA
  • Package: SOT-23

محصولات مشابه