MTP12N10E-VB دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
MTP12N10E-VB
|
|
حجم فایل
|
64.484
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
7
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
VBsemi Elec MTP12N10E-VB
-
Operating Temperature:
-55°C~+175°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
105W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
28nC@10V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
100V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
930pF@25V
-
Continuous Drain Current (Id):
18A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
4V@250uA
-
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds):
110pF@25V
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
92.2mΩ@10V,20A
-
Package:
TO-220
-
Manufacturer:
VBsemi Elec
