YJG30N06A دیتاشیت

YANGJIE YJG30N06A

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت YANGJIE YJG30N06A
حجم فایل 68.982 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت YANGJIE YJG30N06A

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Yangzhou Yangjie Elec Tech YJG30N06A
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 30W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 51nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2.027nF@30V
  • Continuous Drain Current (Id): 30A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 116pF@30V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 16mΩ@10V,15A
  • Package: DFN-8(5.2x5.9)
  • Manufacturer: Yangzhou Yangjie Elec Tech

محصولات مشابه