RV2C010UNT2L دیتاشیت

RV2C010UNT2L

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت RV2C010UNT2L
حجم فایل 69.366 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

مشاهده دیتاشیت RV2C010UNT2L

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: ROHM Semicon RV2C010UNT2L
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 400mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): -
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 40pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 1A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1V@1mA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 8pF@10V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 340mΩ@4.5V,500mA
  • Package: DFN-3(0.6x1)
  • Manufacturer: ROHM Semicon

محصولات مشابه