PJX8808_R1_00001 دیتاشیت

PJX8808_R1_00001

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PJX8808_R1_00001
حجم فایل 76.109 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت PJX8808_R1_00001

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 2 N-Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: PANJIT International PJX8808_R1_00001
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 300mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 1.4nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 67pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 500mA
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 900mV@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 400mΩ@4.5V,500mA
  • Package: SOT-563
  • Manufacturer: PANJIT International

محصولات مشابه