ZXTP2009ZTA دیتاشیت

ZXTP2009ZTA

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت ZXTP2009ZTA
حجم فایل 23.49 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت ZXTP2009ZTA

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Diodes Incorporated ZXTP2009ZTA
  • Transistor Type: PNP
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 5.5A
  • Power Dissipation (Pd): 2.1W
  • Transition Frequency (fT): 152MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 200@500mA,2V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 20nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 40V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 162mV@5.5A,550mA
  • Package: SOT-89
  • Manufacturer: Diodes Incorporated

محصولات مشابه