IRLR3636TRPBF دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
IRLR3636TRPBF
|
|
حجم فایل
|
95.921
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
10
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Infineon Technologies IRLR3636TRPBF
-
Operating Temperature:
-55°C~+175°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
143W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
49nC@4.5V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
60V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
3779pF@50V
-
Continuous Drain Current (Id):
50A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
2.5V@100uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
6.8mΩ@10V,50A
-
Package:
TO-252-2(DPAK)
-
Manufacturer:
Infineon Technologies
