NCE65T180 دیتاشیت

NCE65T180

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NCE65T180
حجم فایل 86.597 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت NCE65T180

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Wuxi NCE Power Semiconductor NCE65T180
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 188W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 36nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 650V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2.25nF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 21A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 1.6pF@50V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 150mΩ@10V,10.5A
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: Wuxi NCE Power Semiconductor

محصولات مشابه