SI8823EDB-T2-E1 دیتاشیت

SI8823EDB-T2-E1

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI8823EDB-T2-E1
حجم فایل 103.05 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

دانلود دیتاشیت SI8823EDB-T2-E1

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI8823EDB-T2-E1
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 900mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 10nC@4.5V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 580pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 2.7A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 800mV@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 95mΩ@1A,4.5V
  • Package: MicroFoot-4
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه