2SK3065T100 دیتاشیت

2SK3065T100

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت 2SK3065T100
حجم فایل 54.771 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 4

مشاهده دیتاشیت 2SK3065T100

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: ROHM Semicon 2SK3065T100
  • Operating Temperature: +150°C@(Tch)
  • Power Dissipation (Pd): 500mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): -
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 160pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 2A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@1mA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 25pF@10V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 350mΩ@2.5V,1A
  • Package: -
  • Manufacturer: ROHM Semicon

محصولات مشابه