BSS816NWH6327XTSA1 دیتاشیت

BSS816NWH6327XTSA1

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BSS816NWH6327XTSA1
حجم فایل 71.158 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت BSS816NWH6327XTSA1-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies BSS816NWH6327XTSA1
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 500mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 0.6nC@2.5V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 180pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 1.4A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 750mV@3.7uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 160mΩ@1.4A,2.5V
  • Package: SOT-323-3
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه