HXY80N03D دیتاشیت

HXY80N03D

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HXY80N03D
حجم فایل 70.922 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت HXY80N03D

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HXY MOSFET HXY80N03D
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1160pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 80A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 6mΩ@10V,20A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: HXY MOSFET

محصولات مشابه