PMPB29XNE,115 دیتاشیت

PMPB29XNE,115

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PMPB29XNE,115
حجم فایل 61.037 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 15

مشاهده دیتاشیت PMPB29XNE,115

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Nexperia PMPB29XNE,115
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 1.7W;12.5W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 18.6nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1150pF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 5A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 900mV@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 33mΩ@5A,4.5V
  • Package: SOT-1220
  • Manufacturer: Nexperia

محصولات مشابه