MS50N06 دیتاشیت

MS50N06

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت MS50N06
حجم فایل 31.497 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت MS50N06

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: MSKSEMI MS50N06
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 1.25W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 30nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 900pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 50A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 33pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 11.5mΩ@10V,20A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: MSKSEMI

محصولات مشابه