دیتاشیت SI7108DN-T1-GE3
مشخصات دیتاشیت
نام دیتاشیت | SI7108DN-T1-GE3 |
---|---|
حجم فایل | 89.389 کیلوبایت |
نوع فایل | |
تعداد صفحات | 12 |
دانلود دیتاشیت SI7108DN-T1-GE3 |
SI7108DN-T1-GE3 Datasheet |
---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Vishay Intertech SI7108DN-T1-GE3
- Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd): 1.5W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs): 30nC@4.5V
- Drain Source Voltage (Vdss): 20V
- Continuous Drain Current (Id): 14A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4.9mΩ@10V,22A
- Package: PowerPAK1212-8
- Manufacturer: Vishay Intertech