دیتاشیت SI2309CDS-T1-GE3-VB
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | SI2309CDS-T1-GE3-VB |
|---|---|
| حجم فایل | 71.805 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 10 |
دانلود دیتاشیت SI2309CDS-T1-GE3-VB |
SI2309CDS-T1-GE3-VB Datasheet |
|---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: P Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: VBsemi Elec SI2309CDS-T1-GE3-VB
- Power Dissipation (Pd): 27W
- Drain Source Voltage (Vdss): 60V
- Continuous Drain Current (Id): 5.2A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 50mΩ@10V,3.2A
- Package: SOT-23-3
- Manufacturer: VBsemi Elec
