SQ3427AEEV-T1_GE3 دیتاشیت

SQ3427AEEV-T1_GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SQ3427AEEV-T1_GE3
حجم فایل 84.329 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت SQ3427AEEV-T1_GE3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SQ3427AEEV-T1_GE3
  • Power Dissipation (Pd): 5W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Continuous Drain Current (Id): 5.3A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 95mΩ@10V,4.5A
  • Package: SOT-23-6
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه