G09P02L دیتاشیت

G09P02L

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت G09P02L
حجم فایل 75.598 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت G09P02L

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: GOFORD G09P02L
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 2.2W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 15nC@4.5V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 620pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 9A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.2V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 23mΩ@1A,4.5V
  • Package: SOT-23(TO-236)
  • Manufacturer: GOFORD

محصولات مشابه