CS8N60FA9H دیتاشیت

CS8N60FA9H

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت CS8N60FA9H
حجم فایل 77 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت CS8N60FA9H

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS8N60FA9H
  • Power Dissipation (Pd): 45W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 600V
  • Continuous Drain Current (Id): 8A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.2Ω@10V,4A
  • Package: TO-220F-3
  • Manufacturer: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics

محصولات مشابه