AP7N10K دیتاشیت

AP7N10K

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت AP7N10K
حجم فایل 71.185 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت AP7N10K

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) AP7N10K
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 29.4W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 3.3nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 212pF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 7A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 1.6pF@50V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 105mΩ@10V,5A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor)

محصولات مشابه