JCS4N65RE دیتاشیت

JCS4N65RE

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت JCS4N65RE
حجم فایل 83.199 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 18

مشاهده دیتاشیت JCS4N65RE

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Jilin Sino-Microelectronics JCS4N65RE
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 176W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 11.9nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 650V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 540pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 4A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 2.2pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.9Ω@10V,2A
  • Package: DAPK
  • Manufacturer: Jilin Sino-Microelectronics

محصولات مشابه