NCE65T180F دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
NCE65T180F
|
|
حجم فایل
|
86.66
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
10
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Wuxi NCE Power Semiconductor NCE65T180D
-
Power Dissipation (Pd):
180W
-
Drain Source Voltage (Vdss):
650V
-
Continuous Drain Current (Id):
21A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
4V@250uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
180mΩ@10V,10.5A
-
Package:
TO-263
-
Manufacturer:
Wuxi NCE Power Semiconductor
