دیتاشیت TK100E10N1,S1X(S
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | TK100E10N1,S1X(S |
|---|---|
| حجم فایل | 74.876 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 9 |
دانلود دیتاشیت TK100E10N1,S1X(S |
TK100E10N1,S1X(S Datasheet |
|---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: TOSHIBA TK100E10N1,S1X(S
- Power Dissipation (Pd): 255W
- Drain Source Voltage (Vdss): 100V
- Continuous Drain Current (Id): 100A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@1mA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 3.4mΩ@10V,50A
- Package: TO-220
- Manufacturer: TOSHIBA
