PBSS306NX,115 دیتاشیت

PBSS306NX,115

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PBSS306NX,115
حجم فایل 51.873 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 16

دانلود دیتاشیت PBSS306NX,115

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Nexperia PBSS306NX,115
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 4.5A
  • Power Dissipation (Pd): 2.1W
  • Transition Frequency (fT): 110MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 100@2A,2V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 100V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 170mV@4.5A,225mA
  • Package: SOT-89
  • Manufacturer: Nexperia

محصولات مشابه