NCE65T360D دیتاشیت

NCE65T360D

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NCE65T360D
حجم فایل 87.286 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت NCE65T360D

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Wuxi NCE Power Semiconductor NCE65T360D
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 101W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 19nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 650V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 870pF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 11.5A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 1.8pF@50V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 290mΩ@10V,7A
  • Package: TO-263
  • Manufacturer: Wuxi NCE Power Semiconductor

محصولات مشابه