CS4N65A3HD1-G دیتاشیت

CS4N65A3HD1-G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت CS4N65A3HD1-G
حجم فایل 79.319 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت CS4N65A3HD1-G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS4N65A3HD1-G
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 75W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 14.5nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 650V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 544pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 4A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 8.5pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2Ω@10V,2A
  • Package: TO-251
  • Manufacturer: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics

محصولات مشابه