GT105N10F دیتاشیت

GT105N10F

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت GT105N10F
حجم فایل 81.481 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت GT105N10F

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: GOFORD GT105N10F
  • Power Dissipation (Pd): 20.8W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Continuous Drain Current (Id): 33A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.7V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 8mΩ
  • Package: TO-220F
  • Manufacturer: GOFORD

محصولات مشابه