HY5110NA2W دیتاشیت

HY5110NA2W

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HY5110NA2W
حجم فایل 61.475 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت HY5110NA2W

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HY5110NA2W
  • Operating Temperature: +175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 500W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 286.5nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 14.818nF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 295A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 638pF@50V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.4mΩ@10V,100A
  • Package: TO-247A-3L
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه