RQ1A070APTR دیتاشیت

RQ1A070APTR

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت RQ1A070APTR
حجم فایل 68.835 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

مشاهده دیتاشیت RQ1A070APTR

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: ROHM Semicon RQ1A070APTR
  • Power Dissipation (Pd): 550mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 80nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 12V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 7800pF@6V
  • Continuous Drain Current (Id): 7A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1V@1mA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 14mΩ@7A,4.5V
  • Package: TSMT-8
  • Manufacturer: ROHM Semicon

محصولات مشابه