RD3P050SNTL1 دیتاشیت

RD3P050SNTL1

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت RD3P050SNTL1
حجم فایل 67.133 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 15

مشاهده دیتاشیت RD3P050SNTL1

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: ROHM Semicon RD3P050SNTL1
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 15W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 14nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 530pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 5A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@1mA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 30pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 135mΩ@10V,5A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: ROHM Semicon

محصولات مشابه