FS200R12KT4RBOSA1 دیتاشیت

FS200R12KT4RBOSA1

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FS200R12KT4RBOSA1
حجم فایل 65.454 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت FS200R12KT4RBOSA1

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: NPT
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/IGBTs
  • Datasheet: Infineon Technologies FS200R12KT4RBOSA1
  • Operating Temperature: -40°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 280A
  • Power Dissipation (Pd): 1000W
  • Input Capacitance (Cies@Vce): 14nF@25V
  • Collector Cut-Off Current (Ices@Vce): 1mA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces): 1200V
  • Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic): 2.15V@15V,200A
  • Package: -
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه