IXTP80N12T2-VB دیتاشیت

IXTP80N12T2-VB

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IXTP80N12T2-VB
حجم فایل 75.326 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت IXTP80N12T2-VB

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: VBsemi Elec IXTP80N12T2-VB
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 250W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 105nC@20V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 6.55nF@20V
  • Continuous Drain Current (Id): 100A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 265pF@20V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 8.52mΩ@10V,30A
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: VBsemi Elec

محصولات مشابه