SI3458BDV-T1-GE3 دیتاشیت

SI3458BDV-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI3458BDV-T1-GE3
حجم فایل 78.474 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت SI3458BDV-T1-GE3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI3458BDV-T1-GE3
  • Power Dissipation (Pd): 2W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Continuous Drain Current (Id): 4.1A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 100mΩ@10V,3.2A
  • Package: SOT-23-6
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه