KNB2910B دیتاشیت

KNB2910B

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت KNB2910B
حجم فایل 51.373 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت KNB2910B

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: KIA Semicon Tech KNB2910B
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 211W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 160nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 7950pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 130A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.8V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 380pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 9mΩ@10V,35A
  • Package: TO-263
  • Manufacturer: KIA Semicon Tech

محصولات مشابه