CS4N60A4R دیتاشیت

CS4N60A4R

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت CS4N60A4R
حجم فایل 70.518 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت CS4N60A4R

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS4N60A4R
  • Power Dissipation (Pd): 75W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 600V
  • Continuous Drain Current (Id): 4A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.5Ω@10V,2A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics

محصولات مشابه