CJMPD11 دیتاشیت

CJMPD11

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت CJMPD11
حجم فایل 75.226 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت CJMPD11

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. CJMPD11
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 350mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 3.3nC
  • Drain Source Voltage (Vdss): -20V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 405pF
  • Continuous Drain Current (Id): -2.3A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 8V
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 55pF
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 70mΩ@4.5V,3A
  • Package: DFN-6(2x2)
  • Manufacturer: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd.

محصولات مشابه