ZXTP2013ZTA دیتاشیت

ZXTP2013ZTA

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت ZXTP2013ZTA
حجم فایل 21.93 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت ZXTP2013ZTA

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Diodes Incorporated ZXTP2013ZTA
  • Transistor Type: PNP
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 3.5A
  • Power Dissipation (Pd): 2.1W
  • Transition Frequency (fT): 125MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 100@1A,1V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 20nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 100V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 230mV@4A,400mA
  • Package: SOT-89
  • Manufacturer: Diodes Incorporated

محصولات مشابه