IPD50R650CE دیتاشیت

IPD50R650CE

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPD50R650CE
حجم فایل 70.557 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

مشاهده دیتاشیت IPD50R650CE

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPD50R650CE
  • Power Dissipation (Pd): 69W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 500V
  • Continuous Drain Current (Id): 6.1A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.5V@150uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 650mΩ@13V,1.8A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه