CJAE35SN06 دیتاشیت

CJAE35SN06

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت CJAE35SN06
حجم فایل 69.705 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت CJAE35SN06

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. CJAE35SN06
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 35W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 28nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1270pF@30V
  • Continuous Drain Current (Id): 35A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 25.5pF@30V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 7.5mΩ@10V,12A
  • Package: DFN-8(3x3)
  • Manufacturer: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd.

محصولات مشابه