HYG025N06LS2B دیتاشیت

HYG025N06LS2B

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HYG025N06LS2B
حجم فایل 65.744 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت HYG025N06LS2B

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HYG025N06LS2B
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 125W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 69.8nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 4.381nF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 145A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.1V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 10pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.8mΩ@10V,40A
  • Package: TO-263
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه