InventChip IV1Q12050T3 دیتاشیت

IV1Q12050T3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IV1Q12050T3
حجم فایل 70.534 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت IV1Q12050T3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Silicon Carbide (SiC) Devices/Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET)
  • Datasheet: InventChip IV1Q12050T3
  • Channel Type: 1 N-Channel
  • Power Dissipation: 327W
  • Drain Source Voltage: 1200V
  • Continuous Drain Current: 58A
  • Package: TO-247-3

محصولات مشابه