IPN60R360PFD7SATMA1 دیتاشیت

IPN60R360PFD7SATMA1

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPN60R360PFD7SATMA1
حجم فایل 84.099 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 14

مشاهده دیتاشیت IPN60R360PFD7SATMA1

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPN60R360PFD7SATMA1
  • Operating Temperature: -40°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 7W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 12.7nC@10V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 534pF@400V
  • Continuous Drain Current (Id): 10A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4.5V@140uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 360mΩ@2.9A,10V
  • Package: SOT-223
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه