RUH30120M-C دیتاشیت

RUH30120M-C

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت RUH30120M-C
حجم فایل 76.236 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت RUH30120M-C

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Shenzhen ruichips Semicon RUH30120M-C
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 52W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 29nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2.95nF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 120A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 65pF@15V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.6mΩ@10V,50A
  • Package: DFN-8(5x5.8)
  • Manufacturer: Shenzhen ruichips Semicon

محصولات مشابه