دیتاشیت SMBTA 56 E6327
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت |
SMBTA 56 E6327
|
| حجم فایل |
67.435
کیلوبایت
|
| نوع فایل |
pdf
|
| تعداد صفحات |
7
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
-
Datasheet:
Infineon Technologies SMBTA 56 E6327
-
Transistor Type:
PNP
-
Collector Current (Ic):
500mA
-
Power Dissipation (Pd):
330mW
-
Transition Frequency (fT):
100MHz
-
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce):
100@100mA,1V
-
Collector Cut-Off Current (Icbo):
100nA
-
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo):
80V
-
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib):
250mV@10mA,100mA
-
Package:
SOT-23
-
Manufacturer:
Infineon Technologies
