IPS70R1K4P7SAKMA1 دیتاشیت

IPS70R1K4P7SAKMA1

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPS70R1K4P7SAKMA1
حجم فایل 78.084 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

مشاهده دیتاشیت IPS70R1K4P7SAKMA1

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPS70R1K4P7SAKMA1
  • Operating Temperature: -40°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 22.7W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 4.7nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 700V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 158pF@400V
  • Continuous Drain Current (Id): 4A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.5V@40uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.4Ω@10V,700mA
  • Package: TO-251
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه