GL20N10B4S دیتاشیت

GL20N10B4S

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت GL20N10B4S
حجم فایل 75.632 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 3

مشاهده دیتاشیت GL20N10B4S

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: GL GL20N10B4S
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 45W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 7nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 410pF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 20A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 3pF@50V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 75mΩ@10V,10A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: GL

محصولات مشابه